| 系列 | 型号 | 最小输入电压 | 耐压 | 输入持续电流 | 输出持续电流 | IQ | 工作频率 | Vref | 驱动方式 | 同步 | 控制方式 | 轻载模式 | 封装 | 特点 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 升压 | Hi8000 | 2.7V | 随MOS | 30A | 12A | 700uA | 130KHz(默认)-1MHz | 1.23V | 外置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESSOP10 | 支持单节锂电,支持sepic升降压拓扑设计 |
| 升压 | Hi8001 | 2.7V | 100V | 1.5A | 1A | 700uA | 130KHz(默认)-1MHz | 1.23V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESSOP10 | 支持单节锂电,支持sepic升降压拓扑设计 |
| 升压 | Hi8001B | 2.7V | 100V | 3A | 1.5A | 700uA | 130KHz(默认)-1MHz | 1.23V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESSOP10 | 支持单节锂电,支持sepic升降压拓扑设计 |
| 升压 | Hi8003 | 2.7V | 30V | 15A | 6A | 700uA | 130KHz(默认)-1MHz | 1.23V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESOP16 | 支持单节锂电,支持sepic升降压拓扑设计 |
| 升压 | Hi8101 | 2.5V | 27V | 15A | 6A | 600uA | 380KHZ | 1.2V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESOP16 | 支持单节锂电,支持sepic升降压拓扑设计 |
| 降压 | Hi9001 | 4.5V | 38V | 2.7A | 2A | 160uA | 520KHZ | 0.6V | 内置MOS | Y | COT | PFM/BURST | SOT23-6 | 内置输入过压保护,占空比最大98%,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9001E | 5.5V | 40V | 2.5A | 2.2A | 400uA | 520KHZ | 1.16V | 内置MOS | Y | COT | PFM/BURST | ESOP8 | 高精度电压输出:±1%,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9001A | 5.5V | 40V | 2.5A | 2A | 400uA | 520KHZ | 1.16V | 内置MOS | Y | COT | PFM/BURST | SOT23-6 | 高精度电压输出:±1%,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9002 | 4.5V | 48V | 1.5A | 1A | 150uA | 650KHZ | 0.797V | 内置MOS | Y | PWM | PFM/BURST | SOT23-6 | 占空比最大98% |
| 降压 | Hi9100 | 8V | 随MOS | 15A | 10A | 1mA | 150KHZ | 1.16V | 外置MOS | N | PWM | PFM/BURST | SOT23-5 | 浮地架构,带线补功能,支持反激拓扑设计 |
| 降压 | Hi9101 | 8V | 100V | 4.5A | 3A | 1mA | 150KHZ | 1.16V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESOP8 | 浮地架构,带线补功能,支持反激拓扑设计 |
| 降压 | Hi9102 | 8V | 60V | 6A | 4A | 1mA | 150KHZ | 1.16V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESOP8 | 浮地架构,带线补功能,支持反激拓扑设计 |
| 降压 | Hi9103 | 8V | 150V | 4A | 2.5A | 1mA | 150KHZ | 1.16V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESOP8 | 浮地架构,带线补功能,支持反激拓扑设计 |
| 降压 | Hi9103B | 8V | 150V | 1.5A | 1A | 1mA | 150KHZ | 1.16V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESOP8 | 浮地架构,带线补功能,支持反激拓扑设计 |
| 降压 | Hi9204 | 5V | 100V | 1.7A | 0.6A | 1mA | 450KHZ | 0.816V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | SOT23-6 | 低纹波<1% |
| 降压 | Hi9214 | 5V | 100V | 1.7A | 1A | 1mA | 450KHZ | 0.816V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESOP8 | 低纹波<1% |
| 降压 | Hi9205 | 4.5V | 85V | 1.7A | 1A | 180uA | 1MHZ | 0.78V | 内置MOS | N | COT | PFM/BURST | SOT23-6 | 占空比最大97%,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9216 | 8V | 120V | 3A | 2A | 1.8mA | 350KHZ | 0.816V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESOP8 | |
| 降压 | Hi9231 | 8V | 80V | 2A | 1A | 600uA | 110KHZ | 0.65V | 内置MOS | N | PWM | PFM/BURST | ESOP8 | 搭配Hi150XE系列可实现自适应电压输出 |
| 降压 | Hi9251 | 5V | 100V | 3.5A | 2A | 55uA | 110KHz(默认)-350KHz | 1.2V | 内置MOS | N | COT | PFM/BURST | ESOP8 | 空载功耗<100uA,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9251H | 5V | 100V | 4A | 3A | 55uA | 110KHz(默认)-350KHz | 1.2V | 内置MOS | N | COT | PFM/BURST | ESOP8 | 空载功耗<100uA,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9252 | 5V | 60V | 6A | 4A | 55uA | 110KHz(默认)-350KHz | 1.2V | 内置MOS | N | COT | PFM/BURST | ESOP8 | 空载功耗<100uA,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9253 | 5V | 60V | 8A | 5A | 55uA | 110KHz(默认)-350KHz | 1.2V | 内置MOS | N | COT | PFM/BURST | ESOP8 | 空载功耗<100uA,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9260 | 6V | 150V | 15A | 10A | 150uA | 110KHZ | 1.2V | 外置MOS | N | COT | PFM/BURST | ESOP8 | 空载功耗<400uA,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9261 | 6V | 100V | 5A | 4A | 150uA | 110KHZ | 1.2V | 内置MOS | N | COT | PFM/BURST | ESOP8 | 空载功耗<400uA,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9263 | 6V | 150V | 4A | 3A | 150uA | 110KHZ | 1.2V | 内置MOS | N | COT | PFM/BURST | ESOP8 | 空载功耗<400uA,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9300 | 8V | 140V | 23A | 15A | 750uA | 70KHz(默认)-300KHz | 0.843V | 外置MOS | Y | COT | PFM/BURST | ESSOP10 | 大功率输出。效率 >98%,低纹波超快动态响应 |
| 降压 | Hi9300E | 8V | 140V | 37A | 25A | 750uA | 70KHz(默认)-300KHz | 0.843V | 外置MOS | Y | COT | PFM/BURST | ESOP16 | 大功率输出。效率 >98%,输出反向供电,短路锁死/自恢复可选,低纹波超快动态响应 |